Micron Technology va ser la primera a produir en massa memòria de fase per a dispositius mòbils. Alguns encara no són conscients dels avantatges d’aquesta innovadora tecnologia. Per esbrinar com funcionarà aquesta memòria del telèfon, heu d’analitzar el principi de funcionament d’aquest microcircuit, que pot canviar d’una fase a una altra.
La memòria de fase és un circuit integrat que es basa en una transició de fase mitjançant nanotubs. Els experts en diuen diferent: PRAM, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, C-RAM i Chalcogenide RAM.
La versió principal del seu treball és la transformació excepcional del calcogen, que pot passar d’un estat amorf a un de cristal·lí i viceversa. Això passa a causa de l’efecte de les altes temperatures del corrent elèctric sobre les molècules de la substància.
Aquesta memòria es considera no volàtil. Perquè té la capacitat d’estalviar informació fins i tot quan l’aparell està apagat. I la velocitat del seu treball només es pot comparar amb la de DRAM i fins i tot la supera.
A més de la independència de l’energia i l’alt rendiment, la memòria PCM té un gran nombre de funcions de reescriptura, una enorme mida de cel·la per emmagatzemar informació, una excel·lent resistència i fiabilitat enfront de factors externs.
Totes les propietats anteriors de la memòria amb commutació de fase permeten facilitar significativament el disseny de circuits en dispositius microelectrònics i, al mateix temps, millorar la seva qualitat i multiplicar les seves propietats funcionals.
En aquest moment, la memòria de fases està sent desenvolupada i reconstruïda constantment per empreses tan conegudes com Samsung, Intel, Numonyx, IBM. Es pot utilitzar en àrees com l'electrònica mèdica, la indústria de l'automòbil, l'enginyeria aeroespacial, la indústria nuclear, etc. A més, aquesta tecnologia s'està convertint simplement en insubstituïble en telèfons intel·ligents, tauletes i ordinadors.
Micron va explicar que la memòria de fase proporciona al dispositiu electrònic la possibilitat d’arrencar en poc temps, amb un baix consum d’energia, amb el màxim rendiment i fiabilitat. Aquest nou assoliment, que els científics han anomenat "memòria del futur", podrà competir amb la memòria flash.
